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13 Sn掺杂对(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3材料介电和储能性能的影响
2020-04-01 10:17     (点击)

Sn掺杂对(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3材料介电和储能性能的影响
Effect of Sn doping on dielectric and energy storage properties of (K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3 materials

肖云辉;李海钰;万宝全;张奇伟;

  • 1:内蒙古科技大学材料与冶金学院

  •  

摘要(Abstract):

随着电力电子系统的集成化及小型化的快速发展,在脉冲功率系统应用中,对介质储能材料的性能提出了更高的要求.(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3(KNN)基储能材料具有高的居里温度(415℃左右),良好的铁电和压电性能,有利于高电场作用下的电能储存.采用传统高温固相烧结制备Sn掺杂的KNN无铅储能介质陶瓷材料,研究锡离子的掺杂量对KNN体系材料结构、介电和储能性能的影响.结果表明:Sn离子的引入有效改善KNN材料的烧结特性,获得了结构均匀、致密的材料.随着Sn离子掺杂量的增加,介电损耗在100 kHz时从0.090 3减小到0.074 3,当x=0.005时储能密度达到最大值,约为3.2 J/cm~3.

关键词(KeyWords): 储能材料;(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3;介电损耗;储能密度

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(51462028);; 内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2018JQ06)

作者(Author): 肖云辉;李海钰;万宝全;张奇伟;

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